「世界のGaN・SiCパワーデバイス市場 2028年」市場調査レポートを販売開始
株式会社マーケットリサーチセンター(本社:東京都港区、世界の市場調査資料販売)では、「世界のGaN・SiCパワーデバイス市場 2028年」レポートの販売を開始いたしました。
■レポートの種類:グローバル市場調査レポート
■レポートのタイトル:世界のGaN・SiCパワーデバイス市場 2028年
■英文タイトル:Global GaN and SiC Power Device Market Insights, Forecast to 2028
■出版日:2022年3月
■出版社:QYResearch
■レポート形態:PDF(Eメールによる納品)
■主な掲載内容
新型コロナウイルス感染症のパンデミックにより、世界のGaN・SiCパワーデバイスの市場規模は2022年にUS$xxxと推定され、調査期間中のCAGRはxxx%で、2028年までに再調整された規模はUS$xxxになると予測されています。この医療危機による経済変化を十分に考慮すると、2021年にGaN・SiCパワーデバイスの世界市場のxxx%を占める「GaNパワー半導体」タイプは、2028年までにUS$xxxの規模になり、パンデミック後の修正xxx%CAGRで成長すると予測されています。一方、「家電」セグメントは、この予測期間を通じてxxx%のCAGRに変更されます。
中国のGaN・SiCパワーデバイスの市場規模は2021年にUS$xxxと分析されており、米国とヨーロッパのGaN・SiCパワーデバイス市場規模はそれぞれUS$xxxとUS$xxxです。米国の割合は2021年にxxx%であり、中国とヨーロッパはそれぞれxxx%とxxx%です。中国の割合は2028年にxxx%に達し、対象期間を通じてxxx%のCAGRを記録すると予測されています。日本、韓国、東南アジアはアジアで注目市場であり、今後6年間のCAGRはそれぞれxxx%、xxx%、xxx%になる見通しです。ヨーロッパのGaN・SiCパワーデバイス市場については、ドイツは2028年までにUS$xxxに達すると予測されており、予測期間中のCAGRはxxx%になる見通しです。
GaN・SiCパワーデバイスのグローバル主要メーカーには、Infineon、CREE (Wolfspeed)、ROHM、ST、ON Semiconductor、Mitsubishi Electric、Fuji Electric、Littelfuse、Global Power Technology、BASiC Semiconductorなどがあります。2021年、世界のトップ5プレイヤーは売上ベースで約xxx%の市場シェアを占めています。
GaN・SiCパワーデバイス市場は、種類と用途によって区分されます。世界のGaN・SiCパワーデバイス市場のプレーヤー、利害関係者、およびその他の参加者は、当レポートを有益なリソースとして使用することで優位に立つことができます。セグメント分析は、2017年~2028年期間のタイプ別および用途別の販売量、売上、予測に焦点を当てています。
【種類別セグメント】
GaNパワー半導体、SiCパワー半導体
【用途別セグメント】
家電、新エネルギー・太陽光発電、鉄道・運輸、産業用モーター、UPS電源、新エネルギー自動車、その他
【掲載地域】
北米:アメリカ、カナダ
ヨーロッパ:ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシア
アジア太平洋:日本、中国、韓国、インド、オーストラリア、台湾、インドネシア、タイ、マレーシア
中南米:メキシコ、ブラジル、アルゼンチン
中東・アフリカ:トルコ、サウジアラビア、UAE
【目次(一部)】
・調査の範囲
- GaN・SiCパワーデバイス製品概要
- 種類別市場(GaNパワー半導体、SiCパワー半導体)
- 用途別市場(家電、新エネルギー・太陽光発電、鉄道・運輸、産業用モーター、UPS電源、新エネルギー自動車、その他)
- 調査の目的
・エグゼクティブサマリー
- 世界のGaN・SiCパワーデバイス販売量予測2017-2028
- 世界のGaN・SiCパワーデバイス売上予測2017-2028
- GaN・SiCパワーデバイスの地域別販売量
- GaN・SiCパワーデバイスの地域別売上
- 北米市場
- ヨーロッパ市場
- アジア太平洋市場
- 中南米市場
- 中東・アフリカ市場
・メーカーの競争状況
- 主要メーカー別GaN・SiCパワーデバイス販売量
- 主要メーカー別GaN・SiCパワーデバイス売上
- 主要メーカー別GaN・SiCパワーデバイス価格
- 競争状況の分析
- 企業M&A動向
・種類別市場規模(GaNパワー半導体、SiCパワー半導体)
- GaN・SiCパワーデバイスの種類別販売量
- GaN・SiCパワーデバイスの種類別売上
- GaN・SiCパワーデバイスの種類別価格
・用途別市場規模(家電、新エネルギー・太陽光発電、鉄道・運輸、産業用モーター、UPS電源、新エネルギー自動車、その他)
- GaN・SiCパワーデバイスの用途別販売量
- GaN・SiCパワーデバイスの用途別売上
- GaN・SiCパワーデバイスの用途別価格
・北米市場
- 北米のGaN・SiCパワーデバイス市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別のGaN・SiCパワーデバイス市場規模(アメリカ、カナダ)
・ヨーロッパ市場
- ヨーロッパのGaN・SiCパワーデバイス市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別のGaN・SiCパワーデバイス市場規模(ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシア)
・アジア太平洋市場
- アジア太平洋のGaN・SiCパワーデバイス市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別のGaN・SiCパワーデバイス市場規模(日本、中国、韓国、インド、オーストラリア、台湾、インドネシア、タイ、マレーシア)
・中南米市場
- 中南米のGaN・SiCパワーデバイス市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別のGaN・SiCパワーデバイス市場規模(メキシコ、ブラジル、アルゼンチン)
・中東・アフリカ市場
- 中東・アフリカのGaN・SiCパワーデバイス市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別のGaN・SiCパワーデバイス市場規模(トルコ、サウジアラビア)
・企業情報
Infineon、CREE (Wolfspeed)、ROHM、ST、ON Semiconductor、Mitsubishi Electric、Fuji Electric、Littelfuse、Global Power Technology、BASiC Semiconductor
・産業チェーン及び販売チャネル分析
- GaN・SiCパワーデバイスの産業チェーン分析
- GaN・SiCパワーデバイスの原材料
- GaN・SiCパワーデバイスの生産プロセス
- GaN・SiCパワーデバイスの販売及びマーケティング
- GaN・SiCパワーデバイスの主要顧客
・マーケットドライバー、機会、課題、リスク要因分析
- GaN・SiCパワーデバイスの産業動向
- GaN・SiCパワーデバイスのマーケットドライバー
- GaN・SiCパワーデバイスの課題
- GaN・SiCパワーデバイスの阻害要因
・主な調査結果
■レポートの詳細内容・お申込みはこちら
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